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回归拉伸方向上的应力除了结构失效的情况外都有所增加。因此可以解释了NPR在单层和双层石墨烯中的一致性,于说要重并进一步解释了BN和石墨烯-BN的异质结构负泊松比存在的差异。
在临界应力快出现时应力最大,视中之后随着拉伸的增加应力逐渐减小。对轨道态密度的研究表明,小商在沿armchair方向(y)拉伸过程中,小商px先略有增大,后显著减小,说明沿zigzag方向(x)的相互作用先减小,再导致键角异常增大,从而导致面内NPR。次终这对未来基于纳米结构的新型微纳米机电器件的设计和开发具有重要意义。
无论负泊松效应是否存在,回归每个原子的能量都在不断增长,回归这是因为在拉伸方向上的应变始终增加,而在其他方向上没有应力,从而将正功转变为能量输入到系统中。(c)在armchair方向或zigzag方向施加应变时,于说要重结构的z轴方向上的厚度增大,揭示了面外NPR现象。
此外,视中也有一些关于平面外负泊松比现象的研究,如TiN、磷烯、arsenic、GeS、SnSe、graphene+。
此外,小商在不改变材料结构、形状或成分的情况下,沿特定方向施加应变,二维材料会产生固有的面内负泊松比。平台的出现表明晶体主体材料中等效嵌入位点数量的增加代表了嵌入/脱嵌过程中的一级相变,次终这表明由Li+电化学循环引发的a-c相变。
回归本工作采用原位NbK边X射线吸收近边结构(XANES)和XPS对样品中Nb在各种放电状态(图4a,b)下的价态进行评价。进一步放电到0.5V时,于说要重谱线边缘移动到更低的能量,表明电极本体中处于+4以下的Nb氧化状态。
本工作假设观察到的非均匀性与相变过程有关,视中相变过程自适应地促进离子和电子输运的最低迁移垒。RS-Nb2O5电极在400次循环中表现出224 mAh g-1的高可逆容量,小商容量损失仅0.02%。
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